Vezi comunicatul oficial

Samsung Electronics Co., Ltd., lider global in tehnologia memoriilor avansate, a anuntat productia in masa a primelor unitati DRAM DDR4, de 10nm*, cu memoria de 8GB, si a modulelor derivate. DDR4 devine rapid cel mai raspandit tip de memorie produsa pentru computere si retele IT, iar cele mai noi inovatii Samsung vor accelera adoptia produselor DDR4 in industria IT.

Samsung a reuşit performanţa de a dezvolta unitatileDRAM de 10 nm pentru prima data in industrie, dupa ce a depasit provocarile tehnice de scalare DRAM. Aceste provocari au fost depasite folosind tehnica litografiei cu ArF (fluorura de argon) prin imersie care nu are nevoie de echipament EUV (ultraviolete extreme).

Lansarea unitaţii DRAM de 10nm(1x) marcheaza o noua etapa de inovaţie pentru Samsung pe piata memoriilor avansate, la fel cum a fost şi introducerea modelului DRAM DDR3 de 4Gb, 20nm**, din 2014.

„Samsung DRAM cu arhitectura pe 10nm va permite cel mai inalt nivel de eficienţa a investiţiilor in sistemele IT, devenind astfel un nou motor de crestere pentru industria de memorii la nivel global,” a declarat Young-Hyun Jun, presedinte al Memory Business, Samsung Electronics. „in viitorul apropiat, vom lansa noi produse ce integreaza tehnologia mobila DRAM de 10nm cu densitati inalte, pentru a ajuta producatorii de telefoane mobile sa dezvolte dispozitive si mai inovatoare.”

Memoria de top Samsung DDR4 DRAM de 10nm şi 8Gb este cu 30% mai eficienta decat memoriile DDR4 DRAM de 20nm si 8Gb.

Noul DRAM suporta o rata a transferului de date de 3.200 Mbps, fiind cu peste 30% mai rapid decat rata de 2.400 Mbps a memoriei DDR4 DRAM de 20nm. De asemenea, noile module din cipurile DRAM de 10nm consuma cu 10%-20% mai putina energie, comparativ cu acelasi model de 20nm. Aceste inovaţii conduc la eficientizarea noilor sisteme de calcul de inalta performanta si ale retelor din companii. in plus, vor putea fi folosite si pentru computere personale si servere.

Primul model DRAM de 10nm din industrie este rezultatul inovaţiilor tehnologice dezvoltate de Samsung pe piata memoriilor avansate. Pentru a atinge maximul de eficienta de scalare a unitaţii DRAM, Samsung a venit cu o tehnologie de ultima generaţie, mai avansata decat cea folosita pentru modelele DRAM de 20nm. Astfel, au fost imbunatatite tehnologia de proiectare a celulelor proprietare, tehnologia de litografiere QPT (cvadrubla de aplicare a modelelor litografice)*** si straturile dielectrice ultra-subtiri****.

Spre deosebire de memoriile flash NAND, in care o singura celula este compusa doar dintr-un tranzistor, fiecare celula DRAM necesita un condensator si un tranzistor, care trebuie conectate, de obicei avand condensatorul plasat deasupra tranzistorului. Mai mult, pentru noile memorii DRAM cu arhitectura pe 10 nm, o alta dificultate a fost reprezentata de nevoia de a stivui condensatori cilindrici de dimensiuni reduse şi care stocheaza sarcini electrice mari, deasupra mai multor tranzistori nanometrici, creand mai mult de opt miliarde de celule.

In plus, utilizarea tehnologiei straturilor dielectrice rafinate permite imbunatatiri ale performantelor pentru memoria DRAM de 10nm. Pe condensatorii din celule au fost aplicate straturi dielectrice ultra-subtiri si uniforme de dimensiunea unui angstrom cu o singura cifra, rezultand in suficienta capacitanta pentru performanta celulelor.'

De asemenea Samsung lucreaza la introducerea unei solutii mobile DRAM de 10nm cu densitate mare si viteza crescuta in acest an, aceasta urmand sa consolideze pozitia de lider a companiei pe piata smartphone-urilor ultra-HD.

Prin introducerea unei game largi de module DDR4 de 10nm, avand de la capacitatea de 4GB pentru laptopuri sau PC pana la 128GB pentru serverele intreprinderilor, Samsung isi va extinde portofoliul memoriilor DRAM pe parcursul anului.