Samsung Foundry a anunțat că a început producția în masă a primelor sale cipuri printr-un proces de fabricație pe 3nm. Acestea se bazează pe noua arhitectură de tranzistori GAA (Gate-All-Around), care reprezintă următorul pas după FinFET.

Comparativ cu cele realizate pe 5nm, prima generație de cipuri Samsung pe 3nm pot oferi performanțe cu până la 23% mai bune, un consum de energie redus cu până la 45% și o diminuarea cu 16% a suprafeței. Dar Samsung anunță că ele vor oferi chiar mai mult: o reducere cu 50% a consumului de energie, o îmbunătățire cu până la 30% a performanței și o reducere cu 35% a suprafeței.

Samsung se află acum în fața TSMC, care ar trebui să înceapă producția de masă a cipurilor pe 3nm în a doua jumătate a anului.

Design-ul sistemului Gate-All-Around (GAA) permite micșorarea tranzistorilor, fără a le afecta capacitatea de a transporta curent. 

____________________________________________________________________________________________________

Urmăriți emisiunile preferate pe protvplus.ro: