Qualcomm a avut un eveniment de presa in care a prezentat noul sau cip, pe care sunt zvonuri ca il vom vedea pe Galaxy S7.

Noul Snapdragon 820 a fost anuntat in martie, la Mobile World Congress de la Barcelona, insa abia acum compania l-a prezentat in detaliu. Analistii au fost impartiti. In timp ce unii aveau asteptari mari, altii au amintit de problemele mari pe care le-a avut modelul precedent, Snapdragon 810, ca se supraincalzea. 

Pentru noul model, Qualcomm promite o performanta crescuta cu 40%, dar si o scadere tot cu 40% a consumului de electricitate.

La evenimentul Qualcomm de acum am aflat mai multe despre conectivitate. Noul procesor va face fata unor viteze de download de pana la 600Mbps, in timp ce uploadul se va face cu 150Mbps in retea LTE-Advanced. El va avea si Wi-Fi 802.11ad.

Cipul este compus din patru nuclee Kryo pe 64 de biti, fabricate dupa tehnologia pe 14nm FinFET a celor de la Samsung, drept urmare, va permite un consum mai mic de electricitate. Cipul mai contine GPU Adreno 530 si DSP (procesor digital de semnal) Hexagon 680.

In cadrul aceluiasi eveniment, cei de la Qualcomm au anuntat inca doua cipseturi: Snapdragon 617 si Snapdragon 430. Ambele au 8 nuclee standard Cortex-A53 la 1,5GHz, respectiv 1,2GHz.

Tot acum, Qualcomm a vorbit si despre tehnologia Quick Charge 3.0, disponibila pe noile platforme. Gratie acesteia, o incarcare de la zero la 80 la suta va dura o jumatate de ora.